隨著AI浪潮的興起以及芯片巨頭們的加速布局,HBM的重要性愈發(fā)凸顯,而作為HBM制造的關(guān)鍵設(shè)備之一,TC鍵合機(jī)近年來(lái)也受到廣泛關(guān)注。
近日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,SK海力士向知名封測(cè)設(shè)備廠商ASMPT訂購(gòu)30多臺(tái)TC鍵合設(shè)備,用于生產(chǎn)其最新一代高帶寬內(nèi)存芯片——12層HBM3E。
在HBM的生產(chǎn)中,因涉及多個(gè)DRAM芯片的垂直堆疊,TC鍵合機(jī)的作用至關(guān)重要。為解決變薄的芯片堆棧更多時(shí)產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)性問(wèn)題,SK海力士采用MR-MUF(批量回流底部模制填充)封裝技術(shù)來(lái)黏合HBM內(nèi)存,該技術(shù)具有低壓、低溫鍵合和批量熱處理的優(yōu)勢(shì),并能夠增強(qiáng)控制翹曲等問(wèn)題。
韓國(guó)媒體報(bào)道援引消息人士的信息稱,在測(cè)試過(guò)程中,SK海力士發(fā)現(xiàn)ASMPT的設(shè)備性能優(yōu)于韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備商韓美半導(dǎo)體(Hanmi Semiconductors)的產(chǎn)品。上個(gè)月,韓美半導(dǎo)體表示已組建了一支40人團(tuán)隊(duì),專門為SK海力士提供售后服務(wù),有分析指出這可能是由于其設(shè)備性能不佳所致。
目前HBM領(lǐng)域主要的TC鍵合設(shè)備生產(chǎn)商包括日本的新川半導(dǎo)體、新加坡的ASMPT、韓美半導(dǎo)體、韓華精密機(jī)械(Hanwha Precision Machinery)以及荷蘭的Besi等。隨著TC鍵合設(shè)備市場(chǎng)需求的迅速快速增長(zhǎng),帶來(lái)了廣闊的市場(chǎng)空間和發(fā)展機(jī)遇,同時(shí),多元化的供應(yīng)商格局也使得競(jìng)爭(zhēng)較為激烈,這將促使設(shè)備廠商不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平,以提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)了解,在ASMPT和韓華精密機(jī)械等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)入市場(chǎng)之前,韓美半導(dǎo)體一直是SK海力士TC鍵合設(shè)備的主要供應(yīng)商。此前有消息稱韓華精密機(jī)械也向SK海力士提交了自己的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試,但尚未通過(guò)。
作為新一代高帶寬內(nèi)存芯片,不少大廠已經(jīng)或計(jì)劃在其旗艦GPU、AI加速器上搭載,包括英偉達(dá)的Blackwell以及AMD的MI325和MI350。根據(jù)TrendForce的預(yù)計(jì),2025年HBM3E將占HBM位需求的80%,其中一半將來(lái)自12層堆疊的HBM。上周,SK海力士宣布已率先成功量產(chǎn)12層HBM3E。三星也已向英偉達(dá)提供了其12層HBM樣品,但目前尚未通過(guò)測(cè)試。
今年6月,ASMPT宣布同美光合作,除供貨TC鍵合設(shè)備外,雙方還將攜手開(kāi)發(fā)下一代鍵合技術(shù),以支持HBM4的生產(chǎn)。而此次收獲來(lái)自SK海力士的大單,也進(jìn)一步體現(xiàn)出ASMPT在TC鍵合設(shè)備上的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以及在半導(dǎo)體后端制造設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。