隨著AI浪潮的興起以及芯片巨頭們的加速布局，HBM的重要性愈發(fā)凸顯，而作為HBM制造的關(guān)鍵設(shè)備之一，TC鍵合機(jī)近年來也受到廣泛關(guān)注。
近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，SK海力士向知名封測(cè)設(shè)備廠商ASMPT訂購(gòu)30多臺(tái)TC鍵合設(shè)備，用于生產(chǎn)其最新一代高帶寬內(nèi)存芯片——12層HBM3E。
在HBM的生產(chǎn)中，因涉及多個(gè)DRAM芯片的垂直堆疊，TC鍵合機(jī)的作用至關(guān)重要。為解決變薄的芯片堆棧更多時(shí)產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)性問題，SK海力士采用MR-MUF（批量回流底部模制填充）封裝技術(shù)來黏合HBM內(nèi)存，該技術(shù)具有低壓、低溫鍵合和批量熱處理的優(yōu)勢(shì)，并能夠增強(qiáng)控制翹曲等問題。
韓國(guó)媒體報(bào)道援引消息人士的信息稱，在測(cè)試過程中，SK海力士發(fā)現(xiàn)ASMPT的設(shè)備性能優(yōu)于韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備商韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductors）的產(chǎn)品。上個(gè)月，韓美半導(dǎo)體表示已組建了一支40人團(tuán)隊(duì)，專門為SK海力士提供售后服務(wù)，有分析指出這可能是由于其設(shè)備性能不佳所致。
目前HBM領(lǐng)域主要的TC鍵合設(shè)備生產(chǎn)商包括日本的新川半導(dǎo)體、新加坡的ASMPT、韓美半導(dǎo)體、韓華精密機(jī)械（Hanwha Precision Machinery）以及荷蘭的Besi等。隨著TC鍵合設(shè)備市場(chǎng)需求的迅速快速增長(zhǎng)，帶來了廣闊的市場(chǎng)空間和發(fā)展機(jī)遇，同時(shí)，多元化的供應(yīng)商格局也使得競(jìng)爭(zhēng)較為激烈，這將促使設(shè)備廠商不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平，以提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)了解，在ASMPT和韓華精密機(jī)械等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)入市場(chǎng)之前，韓美半導(dǎo)體一直是SK海力士TC鍵合設(shè)備的主要供應(yīng)商。此前有消息稱韓華精密機(jī)械也向SK海力士提交了自己的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試，但尚未通過。
作為新一代高帶寬內(nèi)存芯片，不少大廠已經(jīng)或計(jì)劃在其旗艦GPU、AI加速器上搭載，包括英偉達(dá)的Blackwell以及AMD的MI325和MI350。根據(jù)TrendForce的預(yù)計(jì)，2025年HBM3E將占HBM位需求的80%，其中一半將來自12層堆疊的HBM。上周，SK海力士宣布已率先成功量產(chǎn)12層HBM3E。三星也已向英偉達(dá)提供了其12層HBM樣品，但目前尚未通過測(cè)試。
今年6月，ASMPT宣布同美光合作，除供貨TC鍵合設(shè)備外，雙方還將攜手開發(fā)下一代鍵合技術(shù)，以支持HBM4的生產(chǎn)。而此次收獲來自SK海力士的大單，也進(jìn)一步體現(xiàn)出ASMPT在TC鍵合設(shè)備上的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以及在半導(dǎo)體后端制造設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 
