C114訊 3月22日消息（南山）2023年3月22日-24日，由國家6G技術研發(fā)推進工作組和總體專家組指導，由未來移動通信論壇、紫金山實驗室主辦的2023全球6G技術大會以“6G融通世界，攜手共創(chuàng)未來”為主題在南京召開。C114在現(xiàn)場對本次會議進行圖文直播。
在“6G毫米波與太赫茲技術”分論壇上，教育部長江學者特聘教授、西安電子科技大學教授馬曉華表示，6G應用將給現(xiàn)有的前端芯片提出新的挑戰(zhàn)。未來比較可行的是氮化鎵器件，在高頻、高效、帶寬和大功率等方面綜合表現(xiàn)突出。
國內外都對氮化鎵材料展開了研究，例如德國基于氮化鎵實現(xiàn)了芯片性能的突破，100GHz以上的連續(xù)輸出，且位于更高的頻段。各類研究進展說明，氮化鎵未來在100GHz以上甚至300GHz頻段，都會保持一定優(yōu)勢。
硅基可能是一個新的體系挑戰(zhàn)。英特爾這幾年也很關注，氮化鎵未來能否跟硅基兼容，選氮化鎵體系同時在做硅器件和氮化鎵器件的集成，并已經(jīng)實現(xiàn)600GHz以上單個氮化鎵器件，完全和硅技術是兼容的體系。
經(jīng)過大量探索，馬曉華表示硅基氮化鎵材料研究在不斷地提升，不僅僅在性能構架和成本上有優(yōu)勢，而且隨著外延材料不斷更新和工藝不斷發(fā)展，面向未來亞毫米波300GHz以上、太赫茲應用也是一個新的增長點。
面向未來的研究方向，一是繼續(xù)找更強表面極化的材料，比如氮化鎵以及氮面材料，再就是繼續(xù)優(yōu)化低的界面結構和工藝，進一步減小柵的尺寸�；谶@一系列提升，未來可以形成硅基的功率以及處理器，和有源無源的集成系統(tǒng)，應用場景就會有出現(xiàn)明顯擴展。業(yè)界需要從結構和架構上努力，硅基氮化鎵以及毫米波器件一定會取得新突破。 
