印度報業(yè)托拉斯 PTI 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，來自印度科學(xué)學(xué)院 IISc 的 30 名科學(xué)家一道向該國政府提交了一份提案，計劃開發(fā)埃米級（IT之家注：即 10-10米級、亞納米級）2D 非硅芯片。
報道指出這一科學(xué)家團(tuán)隊在 2022 年 4 月向印度首席科學(xué)顧問 (PSA) 提交了一份詳細(xì)項目報告 (DPR)，并在去年 10 月對報告進(jìn)行了修改和二次提交，該報告已向印度電子和信息技術(shù)部 (MeitY) 共享。據(jù)悉 MeitY 對此項目持積極態(tài)度。
IISc 團(tuán)隊在報告中提到了兩類可用于制造埃米級 2D 非硅芯片的物質(zhì)：石墨烯和過渡金屬硫化物（簡稱 TMD，如這一領(lǐng)域的“明星材料”二硫化鉬 MoS2），并尋求五年內(nèi) 50 億盧比（現(xiàn)匯率約合 4.27 億元人民幣）的政府研發(fā)支持資金。
印度在傳統(tǒng)硅基芯片制造領(lǐng)域相對落后，而硅基半導(dǎo)體的進(jìn)一步制程收縮正面臨一系列問題，加速非硅 2D 芯片的研發(fā)有助于該國提升后硅時代的半導(dǎo)體競爭力。 
