三星電子急需提高先進人工智能（AI）芯片的代工良率。英偉達表示，由于其芯片需求持續(xù)強勁，可能會將訂單從臺積電轉移出去。
英偉達CEO黃仁勛近期表示，臺積電的“敏捷性和響應我們需求的能力令人難以置信”，但“如果有必要，我們當然可以隨時提供其他產(chǎn)品”。
黃仁勛對AI芯片需求的擔憂不無道理，他說，客戶對英偉達Blackwell芯片的需求“非常大”，英偉達的供應商正在盡最大努力跟上這一需求。同時，他指出，由于地緣政治緊張局勢加劇等擔憂，英偉達可能會在必要時更換供應商。然而，他警告說，這種變化可能會“導致產(chǎn)品質(zhì)量下降”。
英偉達將其大部分先進AI芯片的物理生產(chǎn)外包給臺積電，而不是三星等其他代工廠。
2023年，三星代工廠獲得了英偉達的8nm芯片訂單，例如用于汽車的Tegra和2020年的RTX-3000圖形處理單元（GPU）。然而，它未能成功獲得更先進的AI芯片的訂單，例如H系列或Blackwell，這些芯片需要更先進的制造工藝。
正如黃仁勛所指出的，問題在于質(zhì)量。三星的代工廠正在努力提高制造良率。但這一數(shù)字并沒有像三星希望的那樣快速提高。三星的代工廠苦苦掙扎，直到今年第一季度，3nm工藝的良率仍保持在個位數(shù)，導致其自有Exynos 2500芯片的工程樣品供應延遲。分析師認為，三星在第二季度成功將3nm良率提高到近20%，但這仍然不足以實現(xiàn)量產(chǎn)，量產(chǎn)需要至少60%的良率。
在此背景下，三星似乎難以獲得代工訂單。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，該公司最近調(diào)整了其在京畿道平澤市最新晶圓廠P4的設備安裝計劃，優(yōu)先生產(chǎn)先進DRAM內(nèi)存，例如高帶寬存儲器（HBM）芯片。
該晶圓廠最初計劃從安裝NAND設備開始，然后是代工廠，最后是DRAM產(chǎn)品。然而，由于代工訂單低迷，這一順序已被改變。有傳言稱，鑒于對HBM和其他用于AI服務器的先進存儲產(chǎn)品的穩(wěn)定需求，三星可能決定將P4專門用于制造存儲芯片。
另外，三星對其位于美國得克薩斯州泰勒市工廠的投資面臨質(zhì)疑。該公司最初計劃從明年開始使用該工廠量產(chǎn)4nm芯片，但已將該計劃推遲到2026年。據(jù)報道，雖然4nm工藝的良率穩(wěn)定，但三星正在努力獲得無晶圓廠公司的訂單。
因此，也有猜測稱，三星可能會將重點從4nm芯片轉移到2nm芯片上，以確保未來獲得更先進產(chǎn)品的訂單。然而，報道顯示，該公司在提高2nm工藝以及3nm工藝的制造良率方面也面臨挑戰(zhàn)。
一位半導體行業(yè)官員表示：“三星代工廠累計虧損的核心原因之一是良率低。該公司設法穩(wěn)定4nm工藝的產(chǎn)量，但在更先進的工藝（如第二代3nm或 2nm工藝）中尚未做到這一點。”
三星沒有披露其代工業(yè)務的單獨收益，但市場觀察人士估計，該公司今年上半年的營業(yè)虧損約為1.5萬億韓元（11.2億美元）。
“三星在HBM業(yè)務上的成就仍未達到應有的水平，其代工部門仍在虧損中苦苦掙扎，”Eugene Investment &Securities分析師Lee Seung-woo表示，“因此，三星半導體業(yè)務今年第三季度的營業(yè)利潤預計將下降至5.5萬億韓元。” 
