據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，由于三星電子的8層和12層堆疊HBM3E內(nèi)存樣品性能未能達(dá)到英偉達(dá)的要求，今年內(nèi)正式啟動(dòng)供應(yīng)的可能性變得非常渺茫，實(shí)際供貨預(yù)計(jì)將推遲至2025年。
報(bào)道指出，三星電子自2023年10月起便開(kāi)始向英偉達(dá)提供HBM3E內(nèi)存的質(zhì)量測(cè)試樣品，但在一年多的時(shí)間里，認(rèn)證流程并未取得明顯進(jìn)展。
消息人士透露，SK海力士在HBM3E技術(shù)上的領(lǐng)先地位，實(shí)際上已經(jīng)為這一內(nèi)存設(shè)定了性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)，而三星電子的HBM3E在發(fā)熱和功耗等關(guān)鍵性能參數(shù)上未能滿足英偉達(dá)的嚴(yán)格要求。
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF鍵合技術(shù)，而三星電子與美光則采用的是TC-NCF熱壓非導(dǎo)電薄膜技術(shù)。
盡管三星電子在全球HBM和NAND市場(chǎng)中曾占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位，但目前看來(lái)，其在HBM3E領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)中已落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
不過(guò)三星電子仍計(jì)劃在2025年第一季度開(kāi)始向英偉達(dá)等大客戶供應(yīng)HBM3E，并期望通過(guò)下一代HBM4工藝獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 
