三星電子正遭遇重大挑戰(zhàn)，尤其是在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面。除了代工業(yè)務(wù)停滯不前外，其在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力也令人擔(dān)憂(yōu)。業(yè)內(nèi)消息稱(chēng)，三星可能會(huì)重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路，以增強(qiáng)其HBM競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)報(bào)道，三星最初計(jì)劃在2024年第三季度開(kāi)始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。然而，其8層產(chǎn)品尚未通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，12層產(chǎn)品可能會(huì)推遲到2025年第二或第三季度。
專(zhuān)家認(rèn)為，三星無(wú)法通過(guò)測(cè)試的主要原因是其DRAM存在問(wèn)題。由于高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片，其性能在很大程度上取決于底層DRAM技術(shù)。
2020年，三星成為首家在DRAM制造中引入EUV（極紫外）技術(shù)的公司。然而，一些分析師猜測(cè)，三星HBM3E面臨的競(jìng)爭(zhēng)力挑戰(zhàn)可能與1a DRAM關(guān)鍵組件有關(guān)。10nm級(jí)DRAM經(jīng)歷了從1x、1y和1z到1a、1b的迭代。三星于2021年下半年開(kāi)始量產(chǎn)1a DRAM，在五層中采用了EUV技術(shù)，而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士?jī)H在一層中采用了EUV。
然而，這種方法似乎沒(méi)有達(dá)到預(yù)期。在DRAM生產(chǎn)中使用EUV降低了大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中的工藝穩(wěn)定性，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)預(yù)期的成本降低。
此外，三星的DRAM（尤其是用于服務(wù)器的DRAM）設(shè)計(jì)似乎并不是最理想的，這也是該公司在這一應(yīng)用領(lǐng)域推出DDR5的時(shí)間晚于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的原因之一。2023年1月，SK海力士率先獲得英特爾認(rèn)證，并推出了基于其1a DRAM的服務(wù)器DDR5產(chǎn)品。
三星推遲為英偉達(dá)量產(chǎn)HBM3E引發(fā)了有關(guān)重新設(shè)計(jì)其1a DRAM的討論。報(bào)告顯示，三星的8層HBM3E的數(shù)據(jù)處理速度比SK海力士和美光的產(chǎn)品低約10%。
據(jù)報(bào)道，為了在服務(wù)器DRAM和HBM領(lǐng)域恢復(fù)競(jìng)爭(zhēng)力，三星正在考慮進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整，以改進(jìn)其DRAM產(chǎn)品。盡管尚未做出最終決定，但有關(guān)重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路的內(nèi)部討論仍在進(jìn)行之中，這種方法存在重大風(fēng)險(xiǎn)。
近日，三星設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)主管Jun Young-hyun在公布公司2023年第三季度初步業(yè)績(jī)時(shí)罕見(jiàn)地作出道歉，因?yàn)樵摌I(yè)績(jī)低于市場(chǎng)預(yù)期。他強(qiáng)調(diào)，管理層應(yīng)承擔(dān)全部責(zé)任，領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)將采取行動(dòng)克服危機(jī)，重新崛起。
三星能否通過(guò)HBM3E質(zhì)量認(rèn)證或放棄該項(xiàng)目，可能取決于其重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路的決定。如果進(jìn)行重新設(shè)計(jì)，可能至少需要6個(gè)月的時(shí)間，最早可能在2025年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)。不過(guò)，即使重新設(shè)計(jì)工作進(jìn)展順利，考慮到當(dāng)前的市場(chǎng)條件，確保及時(shí)供應(yīng)產(chǎn)品仍將是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。 
